机译:通过ar +离子束产生的表面缺陷,二维p型Wse2晶体管中增强的低电阻接触和增强的迁移率
机译:通过Ar +离子束产生的表面缺陷增强二维p型WSe2晶体管的低电阻接触并提高迁移率
机译:高迁移率WSe2 p型和n型场效应晶体管与高掺杂石墨烯接触以实现低电阻接触
机译:通过自成的层间调节顶部接触P型和N型有机场效应晶体管的接触电阻
机译:陡坡P型2D WSE2场效应晶体管,带van der WaaS触点和负电容
机译:用于高性能WSe2和MoS2晶体管的二维低电阻触点。
机译:迈向高载流子迁移率和低接触电阻:石墨烯表面的PMMA残留物的激光清洗
机译:高迁移率Wse2 p型和n型场效应晶体管,由高掺杂石墨烯接触,用于低电阻触点
机译:si,GaN和alGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEmT)晶片的非接触迁移率,载流子密度和薄层电阻测量。